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专利详情
GaN肖特基功率二极管的漏电流抑制技术研究
申请号：
申请公布号：
申请日：
申请公布日：
2017-01-17
申请（专利权）人：
BI375186412
专利代理机构：
分类号：
专利介绍
SiC肖特基功率二极管在美国已经实现产业化，但受到SiC衬底技术垄断等因素的限制，SiC肖特基功率二极管的价格非常昂贵，无法实现大范围推广。相比之下，GaN技术没有材料来源上的限制；而且，由于GaN材料普遍被生长在便宜的蓝宝石衬底上，高性能GaN功率器件有望实现低成本制备，利于向广阔的民用市场推广。基于以上原因，GaN基功率器件是当今世界范围内的研究和开发热点。实现了具有低漏电流的小功率GaN肖特基二极管，目前正在推进GaN肖特基功率二极管的实用化进程。
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